BSS159NH6327XTSA2
Производитель Номер продукта:

BSS159NH6327XTSA2

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSS159NH6327XTSA2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Инвентаризация:

25885 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802179
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSS159NH6327XTSA2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 26µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
39 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS159

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS159NH6327XTSA2DKR
BSS159NH6327XTSA2TR
BSS159NH6327XTSA2CT
SP000919328

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

AUIRFR4620TRL

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

infineon-technologies

AUIRFR4615

MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

infineon-technologies

BSC014N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7

infineon-technologies

AUIRF5210S

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK