Производитель Номер продукта:
BSS806NEH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS806NEH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
71218 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802414
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS806NEH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 2.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
750mV @ 11µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
529 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS806
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS806NEH6327XTSA1CT
SP000999336
BSS806NEH6327XTSA1DKR
BSS806NEH6327XTSA1-DG
BSS806NEH6327XTSA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EPC2049ENGRT
GANFET N-CH 40V 16A DIE
BSZ076N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
BSS308PEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
