Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSZ067N06LS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ067N06LS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
15945 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12840354
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ067N06LS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
BSZ067
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSZ067N06LS3GATMA1
HTML Спецификация
BSZ067N06LS3GATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ067N06LS3G
BSZ067N06LS3GINCT-DG
SP000451080
BSZ067N06LS3GATMA1CT
BSZ067N06LS3GATMA1DKR
BSZ067N06LS3GINTR-DG
BSZ067N06LS3GINCT
BSZ067N06LS3GATMA1TR
BSZ067N06LS3GINDKR
BSZ067N06LS3 G
BSZ067N06LS3GINDKR-DG
BSZ067N06LS3GINTR
BSZ067N06LS3GZT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
FDD3672
MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FDMC8884
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
MVB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3