Производитель Номер продукта:
BSZ900N15NS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSZ900N15NS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
10222 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13063964
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSZ900N15NS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
510 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ900
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ900N15NS3 GCT-ND
BSZ900N15NS3 G
BSZ900N15NS3 GCT
BSZ900N15NS3GATMA1TR
BSZ900N15NS3 GDKR
BSZ900N15NS3GATMA1DKR
BSZ900N15NS3GATMA1CT
BSZ900N15NS3 GDKR-ND
SP000677866
BSZ900N15NS3 GTR-ND
BSZ900N15NS3 G-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK