Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPD60R1K0CEATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R1K0CEATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13063968
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R1K0CEATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
37W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPD60R1K0CEATMA1
HTML Спецификация
IPD60R1K0CEATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD60R1K0CEATMA1TR
INFINFIPD60R1K0CEATMA1
IPD60R1K0CEATMA1CT
SP001276032
2156-IPD60R1K0CEATMA1-ITTR-ND
IPD60R1K0CEATMA1DKR
2156-IPD60R1K0CEATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD60R950C6ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4797
Номер части
IPD60R950C6ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.41
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPD60R1K0CEAUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7232
Номер части
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Direct
Номер детали
STD5NM60T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5671
Номер части
STD5NM60T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.99
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
R6007RND3TL1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3070
Номер части
R6007RND3TL1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.61
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPB60R190P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
IPD60R520C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
IPD30N08S222ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3