Производитель Номер продукта:
BUZ31H3046XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BUZ31H3046XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12799794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUZ31H3046XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1120 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
95W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000682994
2156-BUZ31H3046XKSA1-IT
INFINFBUZ31H3046XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB47N10S33ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPA65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
IPA50R950CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220
