Производитель Номер продукта:
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
DF11MR12W1M1B11BPSA1-DG
Описание:
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Инвентаризация:
12799242
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolSiC™+
Статус продукта
Obsolete
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tj)
Rds On (макс.) @ id, vgs
22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.55V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
124nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3680pF @ 800V
Мощность - Макс
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
AG-EASY1BM-2
Базовый номер продукта
DF11MR12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
24
Другие названия
SP003094734
2156-DF11MR12W1M1B11BPSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSL306NL6327HTSA1
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A TSOP6-6
BSO4804T
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
BSO612CV
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
