FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Производитель Номер продукта:

FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG

Описание:

SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Подробное описание:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2

Инвентаризация:

12996836
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Серия
HybridPACK™
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
400A
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.55V @ 240mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1320nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
42500pF @ 600V
Мощность - Макс
-
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
AG-HYBRIDD-2
Базовый номер продукта
FS03MR12

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
6
Другие названия
448-FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SP002725554

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPG20N04S409AATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

nxp-semiconductors

PMDPB95XNE2X

MOSFET 30V

rohm-semi

EM6J1T2CR

MOSFET 2P-CH 20V EMT6

infineon-technologies

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B