IAUA180N08S5N026AUMA1
Производитель Номер продукта:

IAUA180N08S5N026AUMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IAUA180N08S5N026AUMA1-DG

Описание:

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Подробное описание:
N-Channel 80 V 180A (Tj) 179W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4

Инвентаризация:

1570 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973774
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IAUA180N08S5N026AUMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5980 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-5-4
Упаковка / Чехол
5-PowerSFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SP005423387
448-IAUA180N08S5N026AUMA1DKR
448-IAUA180N08S5N026AUMA1CT
448-IAUA180N08S5N026AUMA1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTP055N65S3H

MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3

panjit

PJQ4408P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD10P10A_L2_00001

100V P-CHANNEL MOSFET

panjit

PJF18N20_T0_00001

200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE