PJF18N20_T0_00001
Производитель Номер продукта:

PJF18N20_T0_00001

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJF18N20_T0_00001-DG

Описание:

200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Инвентаризация:

1896 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973798
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJF18N20_T0_00001 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1017 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
PJF18N20

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJF18N20_T0_00001

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJC7439_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD25N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SUD09P10-195-BE3

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

SQJA60EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8