Производитель Номер продукта:
IAUCN04S7N004ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IAUCN04S7N004ATMA1-DG
Описание:
MOSFET_(20V 40V)
Подробное описание:
N-Channel 40 V 175A 219W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53
Инвентаризация:
1899 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13005801
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IAUCN04S7N004ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
175A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.44mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11310 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
219W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-53
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IAUCN04S7N004ATMA1DKR
448-IAUCN04S7N004ATMA1CT
SP005402881
448-IAUCN04S7N004ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
