Производитель Номер продукта:
IAUCN04S7N006ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IAUCN04S7N006ATMA1-DG
Описание:
MOSFET_(20V 40V)
Подробное описание:
N-Channel 40 V 175A Surface Mount PG-TDSON-8-43
Инвентаризация:
13269137
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IAUCN04S7N006ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
175A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-43
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP005754389
448-IAUCN04S7N006ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN6041SVTQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
IRFB4228PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IMDQ75R016M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET