Производитель Номер продукта:
IRFP4332PBFXKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFP4332PBFXKMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 250 V 57A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
13269164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFP4332PBFXKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
400
Другие названия
448-IRFP4332PBFXKMA1
SP005582181
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMW65R040M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP100N10S305AKSA2
MOSFET_(75V 120V(
IMBG65R050M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET