Производитель Номер продукта:
IPP100N10S305AKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPP100N10S305AKSA2-DG
Описание:
MOSFET_(75V 120V(
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
13269171
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPP100N10S305AKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11570 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP005549658
448-IPP100N10S305AKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMBG65R050M2HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRFB3077PBFXKMA1
TRENCH 40<-<100V
IAUC120N04S6N008ATMA1
MOSFET_(20V 40V)