Производитель Номер продукта:
IAUS260N10S5N019TATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IAUS260N10S5N019TATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Подробное описание:
N-Channel 100 V 260A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
Инвентаризация:
3797 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12990349
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IAUS260N10S5N019TATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
260A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 210µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11830 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-16-2
Упаковка / Чехол
16-PowerSOP Module
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,800
Другие названия
448-IAUS260N10S5N019TATMA1DKR
SP002952334
448-IAUS260N10S5N019TATMA1TR
448-IAUS260N10S5N019TATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMT090N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
