Производитель Номер продукта:
IGT60R070D1ATMA4
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IGT60R070D1ATMA4-DG
Описание:
GANFET N-CH
Подробное описание:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Инвентаризация:
3044 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965619
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IGT60R070D1ATMA4 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolGaN™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (макс.)
-10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-3
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IGT60R070D1ATMA4TR
448-IGT60R070D1ATMA4CT
448-IGT60R070D1ATMA4DKR
SP005557216
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CH
R6509END3TL1
650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
IGOT60R042D1AUMA2
GANFET N-CH
