Производитель Номер продукта:
IGT60R070D1E8220ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IGT60R070D1E8220ATMA1-DG
Описание:
GAN HV
Подробное описание:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Инвентаризация:
12965871
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IGT60R070D1E8220ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolGaN™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (макс.)
-10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8-3
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
448-IGT60R070D1E8220ATMA1
SP001688772
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IGT60R070D1ATMA4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3044
Номер части
IGT60R070D1ATMA4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.24
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1400DL-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
SI4420BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
SIHG22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC