Производитель Номер продукта:
IMW65R027M1HXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IMW65R027M1HXKSA1-DG
Описание:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Подробное описание:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
501 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810867
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IMW65R027M1HXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolSIC™ M1
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
34mOhm @ 38.3A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.7V @ 11mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+23V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2131 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
189W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IMW65R027
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IMW65R027M1HXKSA1
SP005398440
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
