Производитель Номер продукта:
IPS60R360PFD7SAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS60R360PFD7SAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
832 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810871
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS60R360PFD7SAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™PFD7
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 140µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
534 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
43W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPS60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
448-IPS60R360PFD7SAKMA1
SP003965460
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPU95R450P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPU95R450P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.98
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMZA65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
IPAN60R360PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
