IPA029N06NM5SXKSA1
Производитель Номер продукта:

IPA029N06NM5SXKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPA029N06NM5SXKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Подробное описание:
N-Channel 60 V 87A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Инвентаризация:

488 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13276407
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPA029N06NM5SXKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 87A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.3V @ 36µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5300 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA029

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001953044
448-IPA029N06NM5SXKSA1
2156-IPA029N06NM5SXKSA1-448

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPB60R070CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

BSZ039N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON

infineon-technologies

IPB60R360CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3

infineon-technologies

IRFP450PBF

MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC