IPA082N10NF2SXKSA1
Производитель Номер продукта:

IPA082N10NF2SXKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPA082N10NF2SXKSA1-DG

Описание:

TRENCH >=100V PG-TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Инвентаризация:

118 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959060
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPA082N10NF2SXKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
StrongIRFET™ 2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 46µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP005549094
448-IPA082N10NF2SXKSA1
2156-IPA082N10NF2SXKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STO65N60DM6

N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4

infineon-technologies

IPTG111N20NM3FDATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

vishay-siliconix

SIR450DP-T1-RE3

N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SUM90100E-GE3

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P