Производитель Номер продукта:
IPA50R650CEXKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA50R650CEXKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4.6A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Инвентаризация:
12799566
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA50R650CEXKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
342 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
27.2W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPA50R650CEXKSA2
INFINFIPA50R650CEXKSA2
SP001217232
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK9A55DA(STA4,Q,M)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
50
Номер части
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.74
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
