Производитель Номер продукта:
IPA80R900P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA80R900P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Инвентаризация:
12812958
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA80R900P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 110µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
26W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-31
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA80R900
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001633482
2156-IPA80R900P7XKSA1
ROCINFIPA80R900P7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STF7N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
595
Номер части
STF7N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.90
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7422D2TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
IPW50R140CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
