Производитель Номер продукта:
IPAN70R750P7SXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPAN70R750P7SXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
Подробное описание:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 20.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
141 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803151
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPAN70R750P7SXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
306 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
20.8W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPAN70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
IPAN70R750P7SXKSA1-DG
448-IPAN70R750P7SXKSA1
2156-IPAN70R750P7SXKSA1
SP001721536
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPS60R1K5CEAKMA1
CONSUMER
IRF6618TRPBF
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
IPA65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
