Производитель Номер продукта:
IRF6618TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6618TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Инвентаризация:
3953 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803154
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
0MJx
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6618TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Ta), 170A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5640 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT
Базовый номер продукта
IRF6618
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
SP001529242
IRF6618TRPBFCT
IRF6618TRPBFDKR
IRF6618TRPBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
IRF6218STRLPBF
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
