Производитель Номер продукта:
IPD60R3K3C6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
4490 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803158
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD60R3K3C6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ C6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
93 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
18.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD60R3K3C6ATMA1DKR
IPD60R3K3C6ATMA1CT
2156-IPD60R3K3C6ATMA1
SP001117718
INFINFIPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP042N03LGHKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
IRFS4310TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IRFHM4234TRPBF
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
