Производитель Номер продукта:
IRF6775MTR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6775MTR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Инвентаризация:
12803162
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6775MTR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1411 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MZ
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MZ
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6775MTR1PBFTR
IRF6775MTR1PBFCT
IRF6775MTR1PBFDKR
SP001551188
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6775MTRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
International Rectifier
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
597
Номер части
IRF6775MTRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.13
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB015N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRF9410
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IRF7353D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
