Производитель Номер продукта:
IPB017N10N5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB017N10N5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Инвентаризация:
2821 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800953
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB017N10N5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 279µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15600 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB017
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB017N10N5ATMA1CT
IPB017N10N5ATMA1DKR
SP001227028
IPB017N10N5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
IPB60R125CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
IPA60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
