IPB60R125CPATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB60R125CPATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB60R125CPATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Инвентаризация:

1762 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800956
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB60R125CPATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CP
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R125

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB60R125CPTR-DG
IPB60R125CPCT
IPB60R125CPDKR
IPB60R125CPATMA1TR
IPB60R125CPATMA1DKR
IPB60R125CPDKR-DG
IPB60R125CP
IPB60R125CPTR
SP000297368
IPB60R125CPATMA1CT
2156-IPB60R125CPATMA1-448
IPB60R125CP-DG
IPB60R125CPCT-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STB37N60DM2AG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB37N60DM2AG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.16
Тип замещения
Direct
Номер детали
STB26NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2127
Номер части
STB26NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.29
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STW32NM50N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STW32NM50N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.12
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB32N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
STB32N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.37
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB33N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB33N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.00
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPA60R099C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP

infineon-technologies

IPD122N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

infineon-technologies

IMW120R220M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

infineon-technologies

IPB200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK