Производитель Номер продукта:
STB33N60M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB33N60M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12877817
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB33N60M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ II Plus
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1781 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB33
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-14973-6
497-14973-1
497-14973-2
2156-STB33N60M2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB60R099CPATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1212
Номер части
IPB60R099CPATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.99
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
STP12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
