Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
STP12N60M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP12N60M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12877822
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP12N60M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ M2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
538 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
STP12N60M2
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-16020-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCP7N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
FCP7N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.05
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTP8N65X2M
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
46
Номер части
IXTP8N65X2M-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.27
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTP8N70X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
28
Номер части
IXTP8N70X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.74
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCP600N60Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
781
Номер части
FCP600N60Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTP8N70X2M
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12
Номер части
IXTP8N70X2M-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.43
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
STW43NM60ND
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STP21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
STL40N75LF3
MOSFET N-CH 75V 40A POWERFLAT