Производитель Номер продукта:
IPB024N08N5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB024N08N5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800645
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB024N08N5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 154µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8970 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB024
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB024N08N5ATMA1-DG
448-IPB024N08N5ATMA1TR
INFINFIPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1DKR
SP001227044
2156-IPB024N08N5ATMA1
448-IPB024N08N5ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
BSS138NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
