Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB025N10N3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB025N10N3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Инвентаризация:
627 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800393
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB025N10N3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 275µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB025
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB025N10N3GATMA1
HTML Спецификация
IPB025N10N3GATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB025N10N3GATMA1DKR
IPB025N10N3G
IPB025N10N3 GDKR-DG
IPB025N10N3 G
IPB025N10N3GATMA1CT
IPB025N10N3 GTR
IPB025N10N3 GTR-DG
IPB025N10N3 G-DG
SP000469888
IPB025N10N3 GCT-DG
IPB025N10N3GATMA1TR
IPB025N10N3 GDKR
IPB025N10N3 GCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STH310N10F7-6
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
975
Номер части
STH310N10F7-6-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.58
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD390P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
IPP030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK