Производитель Номер продукта:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB039N10N3GE8187ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Инвентаризация:
12800462
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 160µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB039
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187DKR
IPB039N10N3GE8187ATMA1CT
IPB039N10N3GE8187
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
IPB039N10N3GE8187ATMA1DKR
IPB039N10N3 G E8187DKR-DG
IPB039N10N3 G E8187-DG
SP000939340
IPB039N10N3 G E8187TR-DG
IPB039N10N3 G E8187CT
IPB039N10N3 G E8187CT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB039N10N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
29647
Номер части
IPB039N10N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.22
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
