Производитель Номер продукта:
IPB048N15N5LFATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB048N15N5LFATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
839 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800808
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB048N15N5LFATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™-5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 255µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
380 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
313W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB048
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB048N15N5LFATMA1CT
IPB048N15N5LFATMA1-DG
IPB048N15N5LFATMA1TR
SP001503860
IPB048N15N5LFATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33