Производитель Номер продукта:
IPB049N06L3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB049N06L3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
12801434
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB049N06L3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 58µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8400 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
115W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB049N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB049N06L3 GCT-DG
IPB049N06L3 GDKR
SP000453056
IPB049N06L3 GTR-DG
IPB049N06L3 G
IPB049N06L3 G-DG
IPB049N06L3GATMA1TR
IPB049N06L3G
IPB049N06L3GATMA1DKR
IPB049N06L3GATMA1CT
IPB049N06L3 GDKR-DG
IPB049N06L3 GCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFS3306TRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
86
Номер части
IRFS3306TRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDB5800
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
460
Номер части
FDB5800-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
NP89N055PUK-E1-AY
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
780
Номер части
NP89N055PUK-E1-AY-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.05
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN4R6-60BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10374
Номер части
PSMN4R6-60BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.87
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
N0601N-ZK-E1-AY
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1600
Номер части
N0601N-ZK-E1-AY-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
IPP037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
