Производитель Номер продукта:
N0601N-ZK-E1-AY
Product Overview
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Номер детали:
N0601N-ZK-E1-AY-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
1600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12854639
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
N0601N-ZK-E1-AY Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7730 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
N0601N-ZK-E1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
-1161-N0601N-ZK-E1-AYCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MTP2955V
MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
IRL3502PBF
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
MTP52N06VLG
MOSFET PWR N-CH 60V 52A TO-220AB
