Производитель Номер продукта:
IPB110P06LMATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB110P06LMATMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Подробное описание:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
1649 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805254
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB110P06LMATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 5.55mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
281 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8500 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB110P06LMATMA1TR
SP004987252
448-IPB110P06LMATMA1CT
IPB110P06LMATMA1-DG
448-IPB110P06LMATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9Z24NL
MOSFET P-CH 55V 12A TO262
IPI50R399CPXKSA2
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
