Производитель Номер продукта:
IPB180N06S4H1ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Подробное описание:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Инвентаризация:
6672 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803365
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB180N06S4H1ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
21900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IFEINFIPB180N06S4H1ATMA2
2156-IPB180N06S4H1ATMA2
448-IPB180N06S4H1ATMA2CT
SP001028786
448-IPB180N06S4H1ATMA2TR
448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB120N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
IRF1404ZGPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3