Производитель Номер продукта:
IPB60R299CPAATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB60R299CPAATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
3987 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803487
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB60R299CPAATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB60R299
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
INFINFIPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1-DG
SP000539970
2156-IPB60R299CPAATMA1
448-IPB60R299CPAATMA1TR
448-IPB60R299CPAATMA1DKR
448-IPB60R299CPAATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3305PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
