Производитель Номер продукта:
IRFI530NPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFI530NPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Инвентаризация:
7816 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803493
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFI530NPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
640 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB Full-Pak
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IRFI530
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-IRFI530NPBFINF
SP001554868
*IRFI530NPBF
INFINFIRFI530NPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPL60R385CPAUMA1
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
