Производитель Номер продукта:
IPB65R110CFDAATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805519
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB65R110CFDAATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
277.8W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI45N06S4L08AKSA3
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
IRFS3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
IRF8302MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET