IPB65R190C7ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB65R190C7ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB65R190C7ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

12855755
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB65R190C7ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 290µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
72W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB65R190C7ATMA1-DG
SP000929424
IPB65R190C7ATMA1DKR
IPB65R190C7ATMA1TR
IPB65R190C7ATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
TK20G60W,RVQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TK20G60W,RVQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
R6020ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9101
Номер части
R6020ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.15
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIHB22N60ET5-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIHB22N60ET5-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.79
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPB65R190C7ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
630
Номер части
IPB65R190C7ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.25
Тип замещения
Direct
Номер детали
IPB60R120P7ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2950
Номер части
IPB60R120P7ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.47
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD

renesas-electronics-america

UPA2813T1L-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

onsemi

NTMTS0D6N04CTXG

MOSFET N-CH 40V 533A

onsemi

NTD5414NT4G

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK