Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB77N06S212ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB77N06S212ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12804496
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB77N06S212ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 93µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
158W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB77N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPB77N06S212ATMA1
HTML Спецификация
IPB77N06S212ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-DG
IPB77N06S212ATMA1TR
SP000218173
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PSMN7R6-60BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7953
Номер части
PSMN7R6-60BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN015-60BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11707
Номер части
PSMN015-60BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6668TR1
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
IRF3315STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
IRFH8334TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
IRF2807STRRPBF
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK