IPB80N04S3H4ATMA1
Производитель Номер продукта:

IPB80N04S3H4ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPB80N04S3H4ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Инвентаризация:

12800071
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPB80N04S3H4ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 65µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
115W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB80N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB80N04S3-H4
2156-IPB80N04S3H4ATMA1-ITTR
IPB80N04S3H4ATMA1TR
SP000415564
INFINFIPB80N04S3H4ATMA1
IPB80N04S3-H4-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IPB80N04S404ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2000
Номер части
IPB80N04S404ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.93
Тип замещения
Direct
Номер детали
STB120N4F6
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
944
Номер части
STB120N4F6-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.93
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSP316PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4

infineon-technologies

IPD90N04S404ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPD30N03S2L07ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

infineon-technologies

IMZ120R090M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4