Производитель Номер продукта:
IPB80N04S404ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB80N04S404ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Подробное описание:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803751
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB80N04S404ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3440 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB80N04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000646178
IFEINFIPB80N04S404ATMA1
IPB80N04S4-04-DG
IPB80N04S404ATMA1DKR
IPB80N04S4-04
IPB80N04S404ATMA1TR
2156-IPB80N04S404ATMA1
IPB80N04S404ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
IPL60R210P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
