Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPB80N06S2L07ATMA3
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB80N06S2L07ATMA3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12803614
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB80N06S2L07ATMA3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3160 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
210W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB80N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPx80N06S2L-07
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IPB80N06S2L07ATMA3TR
SP001067890
IFEINFIPB80N06S2L07ATMA3
IPB80N06S2L07ATMA3CT-DG
IPB80N06S2L07ATMA3DKR
IPB80N06S2L07ATMA3TR-DG
448-IPB80N06S2L07ATMA3DKR
IPB80N06S2L07ATMA3CT
2156-IPB80N06S2L07ATMA3
IPB80N06S2L07ATMA3TR
448-IPB80N06S2L07ATMA3CT
IPB80N06S2L07ATMA3DKR-DG
IPB80N06S2L07ATMA3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7779L2TRPBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
IRFSL4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO262
IRFU3518-701PBF
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK