Производитель Номер продукта:
IPC100N04S51R2ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPC100N04S51R2ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Подробное описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Инвентаризация:
6897 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800998
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPC100N04S51R2ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
131 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7650 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-34
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IPC100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP001262620
IPC100N04S51R2ATMA1DKR
IPC100N04S51R2ATMA1TR
IPC100N04S51R2ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC90N04S53R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
IPF10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB100N12S305ATMA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
