Производитель Номер продукта:
IPC302N15N3X1SA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPC302N15N3X1SA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
Подробное описание:
N-Channel 150 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Инвентаризация:
12800157
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPC302N15N3X1SA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Bulk
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Sawn on foil
Упаковка / Чехол
Die
Базовый номер продукта
IPC302N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
IPC302N15N3X1SA1-DG
448-IPC302N15N3X1SA1
SP000875892
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3