Производитель Номер продукта:
IPD50R380CEAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD50R380CEAUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Инвентаризация:
22122 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD50R380CEAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
584 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
98W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-IPD50R380CEAUMA1
ROCINFIPD50R380CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1CT
IPD50R380CEAUMA1DKR
SP001396790
IPD50R380CEAUMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB70N12S3L12ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
IPI60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
